| 部品番号 | TP5335MF-G-VAO |
|---|---|
| メーカ | Microchip Technology |
| 説明 | MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MO |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 0 piece(s) |
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| メーカ | Microchip Technology |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 350 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 85mA (Tj) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.4V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 110 pF @ 25 V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 360mW (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 30Ohm @ 200mA, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-DFN (2x2) |
| パッケージ/ケース | 6-VDFN Exposed Pad |
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