| 部品番号 | TPN1200APL-L1Q |
|---|---|
| メーカ | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 説明 | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 17,007 piece(s) |
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| リードタイム | 確認する |
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| メーカ | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | U-MOSIX-H |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 300µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1855 pF @ 50 V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 630mW (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 11.5mOhm @ 20A, 10V |
| 動作温度 | 175°C |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
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