| 部品番号 | 1N3649 |
|---|---|
| メーカ | Solid State Inc. |
| 説明 | DIODE GEN PURP 800V 3.3A DO4 |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 0 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 1 28 - 2 2 (迅速な出荷を選択) |
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| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | Solid State Inc. |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - ダイオード - 整流器 - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| ダイオードタイプ | Standard |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 800 V |
| 電流 - 平均整流（Io） | 3.3A |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 1.1 V @ 1 A |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 逆回復時間（trr） | - |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 5 µA @ 800 V |
| 容量Vr、F | - |
| 取付タイプ | Stud Mount |
| パッケージ/ケース | DO-203AA, DO-4, Stud |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-4 |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C |
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