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| 部品番号 | BSC882N03LSGATMA1 |
|---|---|
| メーカ | Infineon Technologies |
| 説明 | MOSFET N-CH TDSON-8 |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 47,214 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 5 14 - 5 19 (迅速な出荷を選択) |
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| 配達サービス |
| メーカ | Infineon Technologies |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 34V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100A |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 46nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3700pF @ 15V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 69W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 4.2 mOhm @ 30A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | - |
| パッケージ/ケース | - |
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CWR11HH106KB | KEMET, CAP TANT 10UF 10% 15V 2312, 2312 (6032 Metric), - | 見る |
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1812Y0160101GCT | Knowles Syfer, CAP CER 100PF 16V C0G/NP0 1812, 1812 (4532 Metric), - | 見る |
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600L4R3AW200T | American Technical Ceramics, CAP CER 4.3PF 200V NP0 0402, 0402 (1005 Metric), - | 見る |
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CGS173U050R3C | Cornell Dubilier Electronics (CDE), CAP ALUM 17000UF 50V SCREW, Radial, Can - Screw Terminals, - | 見る |
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SI32260-C-GM2 | Silicon Labs, IC PROSLIC FXS DC-DC CTLR 47LGA, 60-WFQFN Exposed Pad, - | 見る |
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ISL3177EIUZ | Intersil, IC TXRX RS422/485 20MBPS 8MSOP, 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width), - | 見る |
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ADS5287IRGCT | Texas Instruments, IC ADC 10BIT 65MSPS OCTAL 64VQFN, 64-VFQFN Exposed Pad, - | 見る |
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2210-S221-P1M3-H0-12A | E-T-A, CIR BRKR 12A 480VAC 65VDC, -, - | 見る |
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CPR05R1500JE14 | Vishay Dale, RES 0.15 OHM 5W 5% RADIAL, Radial, - | 見る |
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430503-16-0 | Curtis Industries, CONN BARRIER STRP 16CIRC 0.438", -, - | 見る |
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463-10-252-00-001101 | Preci-Dip, HEADER SLOTTED WIRE WRAP 2.54MM, -, - | 見る |
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3-87961-7 | TE Connectivity AMP Connectors, 76 MODII HORZ DR CE 100CL/115, -, - | 見る |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC882N03LSGATMA1 D# V36:1790_06384706 |
Infineon Technologies AG |
OPTIMOS 3 M-SERIES POWER-MOSFET |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC882N03LSGATMA1 D# BSC882N03LSGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 34V 100A 8-Pin TDSON - Bulk (Alt: BSC882N03LSGATMA1) RoHS: Compliant
|
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC882N03LSGATMA1 D# 2156-BSC882N03LSGATMA1-ND |
Rochester Electronics LLC |
MOSFET N-CH 34V TDSON-8-1 |
5000 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC882N03LSGATMA1 D# 2781055 |
Infineon Technologies AG |
TRANSITIONAL MOSFETS RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
5000 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC882N03LSGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
LV POWER MOS RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
|
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC882N03LSGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
5750 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC882N03LS G D# 726-BSC882N03LSG |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 34V 100A SON-8 RoHS: Compliant
|
4998 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC882N03LSGATMA1 D# 68AC4409 |
Infineon Technologies AG |
TRANSITIONAL MOSFETS, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:34V, On Resistance Rds(on):4.2mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.2V, Power Dissipation Pd:-, Transistor Case Style:-, No. of RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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5000 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC882N03LSGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
N-Channel Power MOSFET RoHS: Compliant
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5000 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC882N03LSGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
5095 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC882N03LSGATMA1 D# 53364235 |
Infineon Technologies AG |
OPTIMOS 3 M-SERIES POWER-MOSFET |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC882N03LSGATMA1 D# 2781055 |
Infineon Technologies AG |
TRANSITIONAL MOSFETS RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
5000 |
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