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| 部品番号 | BSM600D12P4G103 |
|---|---|
| メーカ | Rohm Semiconductor |
| 説明 | SIC 2N-CH 1200V 567A MODULE |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 12 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 1 9 - 1 14 (迅速な出荷を選択) |
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| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | Rohm Semiconductor |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| FETタイプ | Silicon Carbide (SiC) |
| FET機能 | - |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 1200V (1.2kV) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 567A (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | - |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4.8V @ 291.2mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 59000pF @ 10V |
| 電力 - 最大 | 1.78kW (Tc) |
| 動作温度 | 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | Module |
| サプライヤデバイスパッケージ | Module |
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