| 部品番号 | BSO615NGHUMA1 |
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| メーカ | Infineon Technologies |
| 説明 | MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8DSO |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 0 piece(s) |
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| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 7 8 - 7 13 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | Infineon Technologies |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | SIPMOS® |
| FETタイプ | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET機能 | Logic Level Gate |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.6A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 150mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2V @ 20µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 20nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 380pF @ 25V |
| 電力 - 最大 | 2W |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-DSO-8 |
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