| 部品番号 | DMN33D9LV-13 |
|---|---|
| メーカ | Diodes Incorporated |
| 説明 | MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563 |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 30,000 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 11 18 - 11 23 (迅速な出荷を選択) |
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| 配達サービス |
| メーカ | Diodes Incorporated |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| FETタイプ | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET機能 | - |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 350mA (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 2.4Ohm @ 250mA, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1.4V @ 100µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 1.23nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 48pF @ 5V |
| 電力 - 最大 | 430mW (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-563 |
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