| 部品番号 | DMN62D2UVT-13 |
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| メーカ | Diodes Incorporated |
| 説明 | MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 0 piece(s) |
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| 推定配達時間 | 12 1 - 12 6 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | Diodes Incorporated |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| FETタイプ | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET機能 | - |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 455mA (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 2Ohm @ 50mA, 5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 0.8nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 41pF @ 30V |
| 電力 - 最大 | 500mW (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TSOT-26 |
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