| 部品番号 | DMT32M6LDG-13 |
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| メーカ | Diodes Incorporated |
| 説明 | MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333 |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 8,970 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 12 30 - 1 4 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | Diodes Incorporated |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| FETタイプ | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET機能 | - |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 21A (Ta), 47A (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 2.5mOhm @ 18A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.2V @ 400µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 15.6nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2101pF @ 15V |
| 電力 - 最大 | 1.1W (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerDI3333-8 (Type G) |
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