| 部品番号 | EPC2110 |
|---|---|
| メーカ | EPC |
| 説明 | GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 43,275 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 2 1 - 2 6 (迅速な出荷を選択) |
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| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | EPC |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | eGaN® |
| FETタイプ | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET機能 | - |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 120V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.4A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 60mOhm @ 4A, 5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 700µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 0.8nC @ 5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 80pF @ 60V |
| 電力 - 最大 | - |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | - |
| パッケージ/ケース | Die |
| サプライヤデバイスパッケージ | Die |
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