* Please refer to the English Version as our Official Version.
部品番号 | F3L200R12W2H3_B11 |
---|---|
メーカ | Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas |
説明 | IGBT MODULE VCES 650V 200A |
データシート | |
パッケージ | - |
ECAD | |
在庫 | 5,536 piece(s) |
単価 | Request a Quote |
リードタイム | 確認する |
推定配達時間 | 5 20 - 5 25 (迅速な出荷を選択) |
見積もりを依頼する |
|
お支払い方法 | |
配達サービス |
100%の顧客満足度を保証します。
経験豊富なセールスチームとテクニカルサポートチームがすべての顧客を満足させるためにサービスをサポートしています
90日間の保証を提供します。
あなたが受け取ったアイテムが完全な品質でないならば、我々はあなたの払い戻しまたは交換に対して責任があります、しかし、アイテムは彼らの元の状態で返されなければなりません。
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
F3L200R12W2H3B11BPSA1 D# V99:2348_18206155 |
Infineon Technologies AG |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 600000mW 14-Pin EASY2B-2 Tray |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
F3L200R12W2H3B11BPSA1 D# F3L200R12W2H3B11BPSA1 |
Infineon Technologies AG |
EasyPACK Module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT/NTC - Bulk (Alt: F3L200R12W2H3B11BPSA1) RoHS: Not Compliant
|
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
F3L200R12W2H3B11BPSA1 D# SP001197126 |
Infineon Technologies AG |
EasyPACK Module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT/NTC (Alt: SP001197126) |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
F3L200R12W2H3B11BPSA1 D# F3L200R12W2H3B11BPSA1-ND |
Infineon Technologies AG |
IGBT MOD 1200V 100A 600W |
15 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
F3L200R12W2H3_B11 |
Infineon Technologies AG |
In stock shipping within 2days |
300 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
F3L200R12W2H3B11BPSA1 D# 2726108 |
Infineon Technologies AG |
IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 100A RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
|
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
F3L200R12W2H3B11BPSA1 |
INFINEON TECHNOLOGIES |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
17 |
F3L200R12W2H3B11 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
11500 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
F3L200R12W2H3_B11 D# 641-F3L200R12W2H3_B1 |
Infineon Technologies AG |
IGBT Modules LOW POWER EASY RoHS: Compliant
|
16 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
F3L200R12W2H3B11BPSA1 D# 13AC8777 |
Infineon Technologies AG |
IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 100A, DC Collector Current:100A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.55V, Power Dissipation Pd:600W, Junction Temperature, Tj Max:150°C, IGBT Termination:Press Fit, Transistor Polarity:N Channel RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
|
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
F3L200R12W2H3B11BPSA1 |
Infineon Technologies AG |
F3L200R12 - IGBT Module RoHS: Compliant
|
30 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
F3L200R12W2H3B11BPSA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
140 |
F3L200R12W2H3_B11 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
242 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
F3L200R12W2H3B11BPSA1 D# 26904153 |
Infineon Technologies AG |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 600000mW 14-Pin EASY2B-2 Tray |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
F3L200R12W2H3B11BPSA1 D# 2726108 |
Infineon Technologies AG |
IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 100A RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
|
0 |
Heisenerの品質へのこだわりは、調達、テスト、出荷、そしてその間のあらゆるステップのための私達のプロセスを形作りました。 この基盤は私達が販売する各部品の基礎になります。
あなたは F3L200R12W2H3_B11 についての質問がありますか?
+86-755-83210559 ext. 807
このページを表示するにはスキャンしてください
TVS DIODE 24VWM 56VC SOD323
IC RS485/422 RX 10MBPS 16-SOIC
TVS DIODE 5VWM 12.5VC SC70-6
FIXED IND 510NH 55A 0.29 MOHM
MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
MODULE XFORMR GIGABIT EXT SMD
CRYSTAL 25.0000MHZ 18PF SMD
DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD123
FUSE BRD MNT 7A 125VAC/VDC 2SMD
IC AMP AUDIO D 2.65W 9-FLIPCHIP