| 部品番号 | BSC750N10ND G |
|---|---|
| メーカ | Infineon Technologies |
| 説明 | MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON |
| データシート | |
| パッケージ | 8-PowerVDFN |
| ECAD |
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| 在庫 | 2,128 piece(s) |
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| メーカ | Infineon Technologies |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| パッケージ | 8-PowerVDFN |
| ECAD |
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| シリーズ | OptiMOS? |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET機能 | Standard |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.2A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 75 mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 12µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 11nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 720pF @ 50V |
| 電力 - 最大 | 26W |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8 |
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V48C12C150BN3 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 12V 150W, Quarter Brick, OptiMOS? | 見る |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC750N10NDGATMA1 D# BSC750N10NDGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 100V 13A 8-Pin TDSON T/R - Bulk (Alt: BSC750N10NDGATMA1) RoHS: Compliant
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC750N10NDGATMA1 D# 2156-BSC750N10NDGATMA1-ND |
Rochester Electronics LLC |
PFET, 3.2A I(D), 100V, 0.075OHM, |
2624 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC750N10NDGATMA1 D# 1775481 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CH, 13A, 100V, PG-TDSON-8 RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Each
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC750N10NDGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
69472 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC750N10NDGATMA1 D# 726-BSC750N10NDGATMA |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 100V 13A TDSON-8 OptiMOS 2 RoHS: Compliant
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247 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC750N10NDGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
BSC750N10 - 12V-300V N-Channel Power MOSFET RoHS: Compliant
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2624 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC750N10NDGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
60505 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC750N10NDGATMA1 D# 1775481 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CH, 13A, 100V, PG-TDSON-8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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0 |
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