| 部品番号 | G800N06S2 |
|---|---|
| メーカ | Goford Semiconductor |
| 説明 | MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOP |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 11,736 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 11 19 - 11 24 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | Goford Semiconductor |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | TrenchFET® |
| FETタイプ | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET機能 | - |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3A (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 80mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1.2V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 6nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 458pF @ 30V |
| 電力 - 最大 | 1.7W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOP |
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