| 部品番号 | GD30MPS06J |
|---|---|
| メーカ | GeneSiC Semiconductor |
| 説明 | DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7 |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 1,989 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 11 30 - 12 5 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | GeneSiC Semiconductor |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - ダイオード - 整流器 - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | SiC Schottky MPS™ |
| ダイオードタイプ | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 650 V |
| 電流 - 平均整流（Io） | 51A |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | - |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 逆回復時間（trr） | - |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | - |
| 容量Vr、F | 735pF @ 1V, 1MHz |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263-7 |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
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