| 部品番号 | HS8K1TB |
|---|---|
| メーカ | Rohm Semiconductor |
| 説明 | MOSFET 2N-CH 30V 10A/11A HSML |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 31,440 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 11 26 - 12 1 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | Rohm Semiconductor |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| FETタイプ | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET機能 | - |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Ta), 11A (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 6nC @ 10V, 7.4nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 348pF @ 15V, 429pF @ 15V |
| 電力 - 最大 | 2W (Ta) |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-UDFN Exposed Pad |
| サプライヤデバイスパッケージ | HSML3030L10 |
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