| 部品番号 | IRF40H233ATMA1 |
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| メーカ | Infineon Technologies |
| 説明 | MOSFET 2N-CH 40V 65A 8TDSON |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 0 piece(s) |
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| 推定配達時間 | 2 4 - 2 9 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | Infineon Technologies |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | StrongIRFET™ |
| FETタイプ | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET機能 | - |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 40V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 65A (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 6.2mOhm @ 35A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.9V @ 50µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 57nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2200pF @ 20V |
| 電力 - 最大 | 3.8W (Ta), 50W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-4 |
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