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| 部品番号 | PJQ5839E-AU_R2_002A1 |
|---|---|
| メーカ | Panjit International Inc. |
| 説明 | 30V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT M |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 9,000 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 1 11 - 1 16 (迅速な出荷を選択) |
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| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | Panjit International Inc. |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| FETタイプ | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET機能 | - |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A (Ta), 31A (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 19.1mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 22nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1012pF @ 25V |
| 電力 - 最大 | 2.5W (Ta), 30W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| サプライヤデバイスパッケージ | DFN5060B-8 |
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