| 部品番号 | PMDT290UNEH |
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| メーカ | Nexperia USA Inc. |
| 説明 | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 11,460 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 9 29 - 10 4 (迅速な出荷を選択) |
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| お支払い方法 | |
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| メーカ | Nexperia USA Inc. |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| FETタイプ | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET機能 | - |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 800mA (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 380mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 950mV @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 0.68nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 83pF @ 10V |
| 電力 - 最大 | 330mW (Ta), 1.09W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-666 |
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