| 部品番号 | SI3909DV-T1-E3 |
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| メーカ | Vishay Siliconix |
| 説明 | MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP |
| データシート | |
| パッケージ | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| ECAD |
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| 在庫 | 535,764 piece(s) |
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| メーカ | Vishay Siliconix |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| パッケージ | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| ECAD |
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| シリーズ | TrenchFET? |
| FETタイプ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET機能 | Logic Level Gate |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 200 mOhm @ 1.8A, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 500mV @ 250µA (Min) |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| 電力 - 最大 | 1.15W |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI3909DV-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI3909DV-T1-E3 D# SI3909DV-T1-E3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI3909DV-T1-E3 |
VISHI |
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22060 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI3909DV-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
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3000 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI3909DV-T1-E3 D# NS-SI3909DV-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
1273 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI3909DV-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
3015 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI3909DV-T1-E3 |
VISHI |
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18285 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI3909DV-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
RFQ |
1455 |
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