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部品番号 | SI4200DY-T1-GE3 |
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メーカ | Vishay Siliconix |
説明 | MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC |
データシート | |
パッケージ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
ECAD | |
在庫 | 3,520 piece(s) |
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部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4200DY-T1-GE3 D# V72:2272_07435289 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 8A 8-Pin SOIC N T/R RoHS: Compliant
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0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4200DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
DUAL N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4200DY-T1-GE3 D# SI4200DY-T1-GE3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4200DYT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
35700 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4200DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
89742 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4200DY-T1-GE3. D# 23AC9597 |
Vishay Intertechnologies |
Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:25V, Continuous Drain Current Id:7.3A, On Resistance Rds(on):0.02ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.2V RoHS Compliant: No RoHS: Not Compliant
Min Qty: 2500
Container: TAPE & REEL - FULL
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0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4200DYT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
661 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4200DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
89727 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4200DY-T1-GE3 D# 32318845 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 8A 8-Pin SOIC N T/R RoHS: Compliant
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0 |
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86-755-83210559-827
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