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| 部品番号 | SI4511DY-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカ | Vishay Siliconix |
| 説明 | MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 0 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 12 22 - 12 27 (迅速な出荷を選択) |
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| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | Vishay Siliconix |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| パッケージ | - |
| ECAD |
|
| シリーズ | - |
| FETタイプ | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET機能 | Logic Level Gate |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7.2A, 4.6A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 14.5mOhm @ 9.6A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1.8V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| 電力 - 最大 | 1.1W |
| 動作温度 | - |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC |
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