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部品番号 | SI4925BDY-T1-GE3 |
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メーカ | Vishay Siliconix |
説明 | MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC |
データシート | |
パッケージ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
ECAD | |
在庫 | 3,136 piece(s) |
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部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4925BDY-T1-GE3 D# V36:1790_09216658 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R RoHS: Compliant
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0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4925BDY-T1-GE3 D# SI4925BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Transistor MOSFET Array Dual P-Channel 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4925BDY-T1-GE3) |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4925BDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4925BDY-T1-GE3 D# SI4925BDY-T1-GE3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4925BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
-30V, -7.1A, 0.025mohm, Dual P-Channel, SO-8 RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4925BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
76325 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4925BDY-T1-GE3 D# 781-SI4925BDY-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 30V 7.1A 2.0W 25mohm @ 10V RoHS: Compliant
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2223 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4925BDY-T1-GE3 D# 84R8065 |
Vishay Intertechnologies |
DUAL P CH MOSFET, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:5.3A, On Resistance Rds(on):0.02ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3VRoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Cut Tape
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0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4925BDY-T1-GE3 D# NS-SI4925BDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
5862 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI4925BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
76310 |
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