| 部品番号 | SI7980DP-T1-E3 |
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| メーカ | Vishay Siliconix |
| 説明 | MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8 |
| データシート | |
| パッケージ | PowerPAK? SO-8 Dual |
| ECAD |
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| 在庫 | 105,360 piece(s) |
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| メーカ | Vishay Siliconix |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| パッケージ | PowerPAK? SO-8 Dual |
| ECAD |
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| シリーズ | TrenchFET? |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET機能 | Standard |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 22 mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 27nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1010pF @ 10V |
| 電力 - 最大 | 19.8W, 21.9W |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | PowerPAK? SO-8 Dual |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK? SO-8 Dual |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI7980DP-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8 |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI7980DP-T1-E3 D# SI7980DP-T1-E3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8 |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI7980DP-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
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2770 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI7980DPT1E3 |
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3296 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI7980DP-T1-E3 |
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2770 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI7980DP-T1-E3 D# NS-SI7980DP-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
9112 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI7980DPT1E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
2781 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI7980DP-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
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2785 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI7980DP-T1-E3 |
Vishay Huntington |
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