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| 部品番号 | SIZ998BDT-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカ | Vishay Siliconix |
| 説明 | MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 53,151 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 12 21 - 12 26 (迅速な出荷を選択) |
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| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | Vishay Siliconix |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | TrenchFET® Gen IV |
| FETタイプ | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET機能 | - |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V |
| 電力 - 最大 | 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PowerPair® (6x5) |
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