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| 部品番号 | SQ1912AEEH-T1_GE3 |
|---|---|
| メーカ | Vishay Siliconix |
| 説明 | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6 |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 23,124 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 12 22 - 12 27 (迅速な出荷を選択) |
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| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | Vishay Siliconix |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | TrenchFET® |
| FETタイプ | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET機能 | - |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 800mA (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 280mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 1.25nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 27pF @ 10V |
| 電力 - 最大 | 1.5W |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-70-6 |
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