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| 部品番号 | SQJ912DEP-T1_GE3 |
|---|---|
| メーカ | Vishay Siliconix |
| 説明 | MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8 |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 7,065 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 7 3 - 7 8 (迅速な出荷を選択) |
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| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | Vishay Siliconix |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | TrenchFET® |
| FETタイプ | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET機能 | - |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 40V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 7.3mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 36nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| 電力 - 最大 | 27W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 Dual |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 Dual |
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