| 部品番号 | SSM6N16FE-L3F |
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| メーカ | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 説明 | MOSFET 2N-CH 20V 0.1A ES6 |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 23,130 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 12 28 - 1 2 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| FETタイプ | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET機能 | - |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100mA (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 3Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1.1V @ 100µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9.3pF @ 3V |
| 電力 - 最大 | 150mW (Ta) |
| 動作温度 | 150°C |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 |
| サプライヤデバイスパッケージ | ES6 |
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