| 部品番号 | TRS12E65H-S1Q |
|---|---|
| メーカ | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 説明 | G3 SIC-SBD 650V 12A TO-220-2L |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
|
| 在庫 | 1,134 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 7 9 - 7 14 (迅速な出荷を選択) |
| 見積もりを依頼する |
|
| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - ダイオード - 整流器 - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
|
| シリーズ | - |
| ダイオードタイプ | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 650 V |
| 電流 - 平均整流（Io） | 12A |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 1.35 V @ 12 A |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 逆回復時間（trr） | 0 ns |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 120 µA @ 650 V |
| 容量Vr、F | 778pF @ 1V, 1MHz |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-220-2 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-2L |
| 動作温度 - ジャンクション | 175°C |
100％の顧客満足度を保証します。
経験豊富なセールスチームとテクニカルサポートチームがすべての顧客を満足させるためにサービスをサポートしています
90日間の保証を提供します。
あなたが受け取ったアイテムが完全な品質でないならば、我々はあなたの払い戻しまたは交換に対して責任があります、しかし、アイテムは彼らの元の状態で返されなければなりません。
Heisenerの品質へのこだわりは、調達、テスト、出荷、そしてその間のあらゆるステップのための私達のプロセスを形作りました。 この基盤は私達が販売する各部品の基礎になります。
あなたは TRS12E65H-S1Q についての質問がありますか？
+86-755-83210559 ext. 805
このページを表示するにはスキャンしてください
