| 部品番号 | TSM085NB03DCR |
|---|---|
| メーカ | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 説明 | MOSFET 2N-CH 30V 12A/51A 8PDFNU |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 0 piece(s) |
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| 推定配達時間 | 1 30 - 2 4 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| FETタイプ | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET機能 | Logic Level Gate |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Ta), 51A (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 8.5mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 20nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1091pF @ 15V |
| 電力 - 最大 | 2W (Ta), 40W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PDFNU (5x6) |
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