| 部品番号 | WNSC2D08650TJ |
|---|---|
| メーカ | WeEn Semiconductors |
| 説明 | DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 0 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 2 4 - 2 9 (迅速な出荷を選択) |
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| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | WeEn Semiconductors |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - ダイオード - 整流器 - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| ダイオードタイプ | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 650 V |
| 電流 - 平均整流（Io） | 8A |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 1.7 V @ 8 A |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 逆回復時間（trr） | 0 ns |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 40 µA @ 650 V |
| 容量Vr、F | 260pF @ 1V, 1MHz |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 4-VSFN Exposed Pad |
| サプライヤデバイスパッケージ | 5-DFN (8x8) |
| 動作温度 - ジャンクション | 175°C |
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