| 部品番号 | XP10C150M |
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| メーカ | YAGEO XSEMI |
| 説明 | MOSFET N/P-CH 100V 2.5A 8SO |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 3,000 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 7 7 - 7 12 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | YAGEO XSEMI |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | XP10C150 |
| FETタイプ | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET機能 | - |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.5A (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 150mOhm @ 2A, 10V, 160mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 17.6nC @ 10V, 51.2nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 960pF @ 50V, 3040pF @ 50V |
| 電力 - 最大 | 2W (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
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